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硼酸锂铯晶体
更新时间：2019-06-26
厂家性质：生产厂家
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产品特点：日本oxideCLBO: CsLiB6O10硼酸锂铯晶体-瑞研科技深紫外DUV激光器的关键材料
CLBO: CsLiB6O10-硼酸锂铯晶体-深紫外DUV激光器的关键材料
硼酸铯锂(CLBO)晶体是一种综合性能十分优良的非线性光学晶体材料,其有效非线性光学系数是KDP的三倍,激光损伤阂值高,还具有较低的紫外吸收、较小的走离角、较大的温度带宽和光谱带宽,能够实现对Nd:YAG激光晶体1064nm的二倍频、三倍频、四倍频和五倍频输出,在紫外激光变频领域有着的广阔的应用前景。我们通过采用熔体法和添加助熔剂的不同方式研究了硼酸铯锂晶体的生长。生长实验表明,不同的熔体体系其粘度和挥发性差异较大,并随温度变化而变化,助熔剂的种类和原料的配比是影响晶体质量的重要因素。我们通过选择助熔剂和优化原料配比生长出高质量的硼酸铯锂晶体
紫外线区的高次谐波发生器（4HG & 5HG of Nd:YAG, Shortest Type I SHG:237nm）
高损伤阈值（比熔融石英高1.7倍 @266nm）
适用于高功率紫外线应用 （d36(532nm)=0.92pm/V）
硼酸锂铯晶体
与BBO（偏硼酸钡晶体）相比的优势
转换效率高
宽光谱范围180～2750nm
特别适合深紫外DUV的生成
特点：
短波截止到180nm
大角度公差
离散较小
大功率不饱和
应用
机加工
半导体检查
生物医疗
紫外激光雷达
基本参数
与BBP对比
Wavelength (nm) | NLO Crystal | Phase Matching Angle (deg) | deff (pm/V) | Angle Tolerance (mrad - cm) | Walk-off Angle (deg) |
1064+532 = 355 | CLBO | 48.9 | 0.71 | 0.92 | 2.11 |
BBO | 34.6 | 2.01 | 0.24 | 4.47 | |
532+532 = 266 | CLBO | 62.0 | 0.79 | 0.55 | 1.84 |
BBO | 47.7 | 1.75 | 0.19 | 4.89 | |
1064+266 = 213 | CLBO | 68.3 | 0.95 | 0.48 | 1.66 |
BBO | 51.1 | 1.95 | 0.13 | 5.51
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